10n60c场效应管参数:
最大耗散功率:156W
最大漏源电流:10A
漏源击穿电压:600V
内阻:0.75Ω
通态电流:5A
栅极电压:10V
开启电压:2~4V
开启电流:250μA:
型号:10N60封装:
TO-220特性:大电流MOS管电性
参数:10A 600V
芯片材质:
GPP连续二极管
正向电流(IS):10A
脉冲二极管
正向电流(ISM):40A
二极管正向电压(VSD):1.5V
栅极漏电流(IDSS):1uA
反向恢复时间(trr):600NS
工作温度:-55~+150℃
引线数量:3