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存储器IC分为RAM和ROM两大类。

RAM是Random Access Memory的缩写,翻译过来就是随机存取存储器,随机存取可以理解为能够高速读写。常见的R A M又可以分成SRAM(Static RAM:静态RAM)和DRAM(dynamic RAM:动态RAM)。

ROM是Read Only Memory的缩写,翻译过来就是只读存储器。常见的ROM又可分为掩膜ROM(有时直接称为ROM)、PROM(Programmable ROM:

可编程ROM,特指一次编程的ROM)、EPROM(Erasable ProgrammableROM:可擦除可编程的ROM,擦除时用紫外线)、EEPROM(ElectricallyErasable Programmable ROM:电可擦除可编程ROM)。

ROM明明叫只读存储器,也就是不可写的存储器,现实是除了掩膜ROM是不可写的外,PROM、EPROM、EEPROM事实上都是可写的。它们的名称中还带有“ROM”是名不副实的叫法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM这几种存储器的共同特点其实是掉电后,所存储的数据不会消失,所以可以归类为非易失性存储器(即Non-Volatile Memory)。

SRAM、DRAM的共同特点是掉电后数据会丢失,所以也可称为易失性存储器(Volatile memory)。

存储器从大类来分,可以分为易失性存储器和非易失性存储器。后来出现的Flash Memory(快闪存储,简称闪存),掉电后数据也不容易丢失,所以也属于非易失性存储器。Flash Memory的名称中已经不带ROM字样了,但是传统的分类方法中,还是把Flash Memory归类为ROM类,事实上此时是因为这些存储器都是非易失的。

有一种新的存储器,它既是非易失的,同时又是能够高速随时读写数据的,也就是说能够随机存取的。这种存储器就是FRAM(Ferroelectric Random AccessMemory:铁电随机存取存储器,简称铁电存储器)。把FRAM归类为非易失性存储器是可以,但是FRAM的高速读写性质又与SRAM、DRAM更为接近,它也是一种RAM。

传统的分为RAM与ROM的方式本来就不科学。如果分成RAM与非易失性存储器这两大类,也不科学,因为这个分类本身就不是按同一个标准分的,导致FRAM即属于RAM,又属于非易失性存储器。如果只分成易失性存储器和非易失性存储器,又导致FRAM与SRAM、DRAM分家,大家都有RAM嘛,凭什么分开是吧。

存储器分成随机存取存储器和非随机存取存储器两大类比较合适。

1、随机存取存储器:SRAM、DRAM、FRAM;

2、非随机存取存储器:掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。


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